一种或非门闪存存储器的制作方法

摘要

本发明公开了一种或非门闪存存储器的制作方法，包括：形成有源区和深隔离槽，并在深隔离槽内形成隔离氧化层；形成浅隔离槽；在浅隔离槽内露出的基底表面形成沟道区、隧穿氧化层和浮栅层；刻蚀隔离氧化层；在浅隔离槽内形成层间介电质层和控制栅层；将相邻的两个浅隔离槽分为一组，刻蚀每组浅隔离槽之间的牺牲层和隔离氧化层；刻蚀牺牲层，露出基底；在控制栅层和隔离氧化层的侧壁形成侧壁薄膜层；形成公用源极线和漏极下层接触孔；刻蚀控制栅层，依次形成合金层和氮化硅层；形成漏极上层接触孔。本发明所述的或非门闪存存储器的制作方法使得或非门闪存存储器能够微缩至45纳米，且制作工艺简单、成本低。

主权项

一种或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，包括：沿第一方向刻蚀半导体衬底，形成有源区和深隔离槽，并在所述深隔离槽内形成隔离氧化层，所述半导体衬底由基底和牺牲层依次层叠而成，所述深隔离槽延伸至所述基底之内；沿第二方向刻蚀所述半导体衬底和所述隔离氧化层，形成浅隔离槽，所述浅隔离槽露出所述基底，所述浅隔离槽的深度小于所述深隔离槽的深度，所述浅隔离槽内的隔离氧化层上表面高于所述基底上表面；在所述浅隔离槽内露出的所述基底表面自下而上形成沟道区、隧穿氧化层和浮栅层；刻蚀隔离氧化层，使得所述隔离氧化层的高度降低；在所述浅隔离槽内自下而上形成层间介电质层和控制栅层；将相邻的两个所述浅隔离槽分为一组，刻蚀每组浅隔离槽之间的牺牲层和隔离氧化层，使得所述牺牲层和所述隔离氧化层的高度降低；刻蚀牺牲层，露出所述基底；在所述控制栅层和隔离氧化层的侧壁形成侧壁薄膜层；在所述每组浅隔离槽之间的基底表面形成源极，在每相邻两组浅隔离槽之间的基底表面形成漏极，并在所述源极和所述漏极之上形成第一金属层，分别形成公用源极线和漏极下层接触孔；刻蚀所述控制栅层，得到高度降低后的控制栅层，在所述高度降低后的控制栅层上依次形成合金层和氮化硅层；沉积隔离层，在所述漏极下层接触孔之上刻蚀所述隔离层，形成漏极上层接触孔，并在所述漏极上层接触孔之内形成第二金属层。