发明名称 |
发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装及照明系统 |
摘要 |
本发明提供一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装及照明系统。该发光器件包括在第一与第二半导体层之间形成的有源层。第一半导体层包括面对有源层的第一表面、与第一表面相对的第二表面以及包括台阶部的侧表面。台阶部使侧表面延伸超过第一半导体层的第一表面或第二表面中的一个表面。发光器件还可以被形成有包括台阶部的缓冲层,并且发光器件封装和系统可以由发光器件形成。 |
申请公布号 |
CN102148303B |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201010289888.7 |
申请日期 |
2010.09.16 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
姜大成;元晶敏 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
王伟;安翔 |
主权项 |
一种发光器件,包括:衬底;在所述衬底的表面上的多个突起;在所述突起和所述衬底上的第一半导体层;第二半导体层;以及有源层,所述有源层位于所述第一与第二半导体层之间,其中,所述第一半导体层包括:(a)面对所述有源层的第一表面;(b)与所述第一表面相反的第二表面,以及(c)包括台阶部的侧表面,所述台阶部形成在第一半导体层的周边区域中,其中所述第二表面与所述衬底接触,并且所述第一半导体层的对应于所述台阶部的部分与所述衬底间隔开,其中所述台阶部形成在所述第一半导体层的所述第二表面的边缘处,并且所述台阶部的一部分和所述突起被设置在所述衬底的相同平面上,并且其中,所述突起中的每一个具有半球形形状,并且由SiO<sub>2</sub>、SiN、GaO、ZnO或ITO中的一种或多种形成。 |
地址 |
韩国首尔 |