| 发明名称 | 一种化合物薄膜太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种化合物薄膜太阳能电池，其依次包括衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层和电极层，所述缓冲层为具有带隙梯度的CdSO缓冲层，所述CdSO缓冲层的带隙由所述吸收层至所述窗口层逐渐增加。本实用新型用具有带隙梯度的CdSO缓冲层替代CdS缓冲层，CdSO缓冲层的带隙由吸收层至窗口层逐渐增加，形成梯度带隙，这样底部为O含量较少的CdS，可用于减少与吸收层晶格失配，而上层CdSO带隙逐渐增加，则有利于通过短波光，使太阳能电池的短波光谱响应增加。 | ||
| 申请公布号 | CN204315592U | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201420778578.5 | 申请日期 | 2014.12.10 |
| 申请人 | 北京汉能创昱科技有限公司 | 发明人 | 韩安军;张庆钊;彭东阳;顾世海;李琳琳 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人 | 彭秀丽;尹学清 |
| 主权项 | 一种化合物薄膜太阳能电池，其依次包括衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层和电极层，其特征在于，所述缓冲层为具有带隙梯度的CdSO缓冲层，所述CdSO缓冲层的带隙由所述吸收层至所述窗口层逐渐增加。 | ||
| 地址 | 102209 北京市昌平区北七家镇宏福创业园15号院 | ||