发明名称 直流驱动的无机电致发光组件及其发光方法
摘要 直流驱动的无机电致发光组件及其发光方法,所述无机电致发光组件可通过在无机物荧光体物质上外加直流电压使之发光,并通过改变分散在荧光体层中的发光中心或荧光体的种类,可适当改变发光颜色。在直流驱动发光组件的内部形成NPN型半导体的结构,再蒸镀与该结构相邻的荧光体物质层后,用第1个电极和第2个电极将它们夹在中间即可制作成无机电致发光组件。利用这种结构,在阴极侧的PN结上施加顺向电压,向P型半导体层内注入电子。然后,通过在P型半导体层与N型半导体即加速层所形成的PN结上施加反向偏压,利用分布在该加速层内部的空间电荷层的电场,可加速电子,使电子撞击发光中心或荧光体,从而可获得发光的方法。
申请公布号 CN102440072B 申请公布日期 2015.05.06
申请号 CN201080016370.4 申请日期 2010.06.18
申请人 光文堂印刷有限会社 发明人 石村卓良
分类号 H01L27/15(2006.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人 李馨
主权项 一种直流驱动无机电致发光组件(1a~1e),是一种在绝缘性玻璃基板上形成的阴极即第1电极(4,6b,12,16)和与该第1电极(4,6b,12,16)相对设置的阳极即第2电极(6,6a,13,17)之间夹入无机物构成的荧光体层(5)而制成的无机电致发光组件(1a‑1e),其特征在于在所述第1电极(4,6b,12,16)即阴极与所述荧光体层(5)之间,具有由无机物半导体材料构成的N型半导体(7,9)与P型半导体(8)结成的NPN型半导体结构(7~9),在所述第1电极(4,6b,12,16)上依次结成所述NPN型半导体结构(7~9)、所述荧光体层(5)、所述第2电极(6,6a,13,17)。
地址 日本山口县山口市