多芯片半导体封装结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种多芯片半导体封装结构及制作方法，该封装结构，包括半导体芯片，半导体芯片的第二表面形成有向第一表面延伸的开口和凹槽，且凹槽与半导体芯片的元件区背对，开口与半导体芯片的第一焊垫背对并暴露第一焊垫；第二表面、凹槽的内壁和开口的内壁上依次形成有第一绝缘层、金属布线层和第二绝缘层，凹槽内放置有至少一个功能芯片，凹槽内的其他空余空间填充有绝缘材料，且金属布线层电连接第一焊垫和功能芯片的焊垫，该封装结构能够在不增加封装厚度的基础上实现系统封装，该封装结构的制作方法利用晶圆级芯片尺寸封装技术，先进行整体封装，再将晶圆切割成单颗芯片，降低了生产成本。

主权项

一种多芯片半导体封装结构，包括半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有第一表面(103)和与其背对的第二表面(104)；所述第一表面具有元件区(102)和位于所述元件区周边的若干个第一焊垫(101)，其特征在于：所述第二表面形成有向所述第一表面延伸的开口(2)和凹槽(3)，且所述凹槽与所述元件区背对，所述开口与第一焊垫背对并暴露所述第一焊垫；所述第二表面、所述凹槽的内壁和所述开口的内壁上依次形成有第一绝缘层(4)、金属布线层(5)和第二绝缘层(6)，所述凹槽内放置有至少一个功能芯片(7)，所述凹槽内的其他空余空间填充有绝缘材料(8)，且所述金属布线层电连接所述第一焊垫和所述功能芯片的焊垫(701)。