发明名称 |
SnO<sub>2</sub>@PPy纳米薄膜结构材料及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明涉及SnO<sub>2</sub>@PPy纳米薄膜结构材料及其制备方法,其为生长在泡沫镍上的SnO<sub>2</sub>纳米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆,所述的聚合物吡咯形成薄膜的厚度为0.8~1.5μm,其采用下述方法制得,包括有以下步骤:1)将吡咯单体分散在高氯酸锂乙腈溶液中,混合搅拌30min;2)以已经生长SnO<sub>2</sub>纳米棒阵列的泡沫镍为工作电极,以Ag/AgCl为参比电极,以铂电极为对电极进行电沉积2000s,电流密度1.6mA/cm<sup>2</sup>,洗涤即得。本发明的有益效果是:采用电化学沉积的方法将PPy生长在SnO<sub>2</sub>纳米棒的表面,这样可以起到缓冲层的作用,不仅提高了材料电导率,改善了电极材料的循环稳定性。 |
申请公布号 |
CN104600264A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201510002603.X |
申请日期 |
2015.01.05 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
麦立强;张磊;夏睿;赵康宁;许旺旺 |
分类号 |
H01M4/36(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01M4/36(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
崔友明 |
主权项 |
SnO<sub>2</sub>@PPy纳米薄膜结构材料,其为生长在泡沫镍上的SnO<sub>2</sub>纳米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆,所述的聚合物吡咯形成薄膜的厚度为0.8~1.5μm,其采用下述方法制得,包括有以下步骤:1)将吡咯单体分散在高氯酸锂乙腈溶液中,其中吡咯单体浓度为10‑100mmol·L<sup>‑1</sup>,高氯酸锂浓度为10‑100mmol·L<sup>‑1</sup>,混合搅拌30min;2)以已经生长SnO<sub>2</sub>纳米棒阵列的泡沫镍为工作电极,以Ag/AgCl为参比电极,以铂电极为对电极在CHI760D电化学工作站上进行电沉积2000s,电流密度1.6mA/cm<sup>2</sup>,用去离子水和无水乙醇反复洗涤所得产物,真空干燥即得到SnO<sub>2</sub>@PPy纳米薄膜结构材料。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |