发明名称 |
GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法 |
摘要 |
一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法,包括步骤如下:(1)在GaAs基外延片的GaP窗口层表面蒸镀一层Au膜作为p型电极,在GaP窗口层上保留电极图形;(2)在步骤(1)保留的电极图形保护下制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面;首先配置对Au和GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液,将步骤(1)制备的GaAs基外延片放入所述腐蚀液进行腐蚀,得到p型金属电极和粗糙的GaP出光面。本发明通过配置对Au、GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液,制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面,可彻底的去除不需要的金属,并保证粗糙表面的角度,取消了需要单独进行表面粗糙的工艺,简化了工艺流程,缩短了生产周期,提高了出光效率,稳定了芯片品质。 |
申请公布号 |
CN104600168A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201410850697.1 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
发明人 |
李晓明;陈康;申加兵;盖克彬;徐现刚 |
分类号 |
H01L33/22(2010.01)I;C23F1/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/22(2010.01)I |
代理机构 |
济南日新专利代理事务所 37224 |
代理人 |
王书刚 |
主权项 |
一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法,其特征是,包括步骤如下:(1)在GaAs基外延片的GaP窗口层表面蒸镀一层Au膜作为p型电极,在GaP窗口层上保留电极图形;首先在GaAs基外延片的上表面蒸镀一层Au膜作为p型电极;再在所述Au膜上涂上正性光刻胶,然后进行光刻,在GaP窗口层上保留正性光刻胶的电极图形;(2)在步骤(1)保留的电极图形保护下制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面;首先配置对Au和GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液,将步骤(1)制备的GaAs基外延片放入所述腐蚀液进行腐蚀,腐蚀掉未被正性光刻胶保护的Au膜并对GaP窗口层粗糙化处理,腐蚀完成后再去除正性光刻胶,得到p型金属电极和粗糙的GaP出光面。 |
地址 |
261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 |