发明名称 |
一种集成门极换流晶闸管芯片的双门极接触环阴极面结构 |
摘要 |
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管芯片的双门极接触环阴极面层结构包括多个同心的阴极环,一个同心门极接触环及多个阴极梳条,多个阴极梳条沿径向排列在每个阴极环的部分区域中,形成一个扇形区域;其特征在于,还包括第二个同心的门极接触环、多个径向门极接触条;其中第一个门极接触环位于内侧的阴极环之间,另一个门极接触环位于外侧的阴极环间或者位于最外环;二个门极接触环之间通过径向的门极接触条相连。本发明采用双门极结构,减小了远端GCT的换流距离,提高了远端GCT的换流速度,避免电流集中分布在远端GCT,提高大直径IGCT的电流关断能力。 |
申请公布号 |
CN104600101A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201510054994.X |
申请日期 |
2015.02.03 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
曾嵘;余占清;吕纲;陈政宇;朱童;张翔宇 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I;H01L29/744(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
廖元秋 |
主权项 |
一种集成门极换流晶闸管芯片的双门极接触环阴极面层结构包括多个同心的阴极环,一个同心门极接触环及多个阴极梳条,多个阴极梳条沿径向排列在每个阴极环的部分区域中,形成一个扇形区域;其特征在于,还包括第二个同心的门极接触环、1个或1个以上的径向门极接触条;其中第一个门极接触环位于内侧的阴极环之间,另一个门极接触环位于外侧的阴极环间或者位于最外环;二个门极接触环之间通过径向的门极接触条相连。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号 |