一种检测硅衬底质量的方法

摘要

本发明提供一种检验硅衬底质量的方法，先对硅衬底进行升温及降温处理，当衬底背面损伤层吸杂效果不佳或硅衬底来料存在沾污时，硅衬底背面及边沿的沾污或升降温设备中的沾污会溢出转移到衬底正面，再在硅衬底上生长外延层，这样硅衬底上存在沾污的位置外延生长晶格完整性将受到破坏产生外延生长缺陷，对硅衬底上的外延层进行腐蚀时外延生长缺陷将被暴露出来，采用金相显微镜进行外延层表面缺陷检测便可判断硅衬底的质量，不需增加昂贵的检测设备，即可在硅衬底来料时提早检测硅衬底中的沾污的情况，避免敏感的器件流片批量报废，预防定单交付延迟。

主权项

一种检测硅衬底质量的方法，其特征在于，包括：对硅衬底进行升温及降温处理；在所述硅衬底上生长外延层；以及对所述外延层进行腐蚀，并采用金相显微镜对所述硅衬底进行表面缺陷检测，通过表面缺陷的数量判断所述硅衬底的质量。