发明名称 |
内置静电保护器件的高速输出电路 |
摘要 |
本发明提供一种输出电路,其包括输出端、连接于电源端和所述输出端之间的第一输出单元和连接于接地端和所述输出端之间的第二输出单元。第一输出单元包括晶体管MP1、晶体管MP0和电阻RP,其中晶体管MP0的源极与电源端相连,晶体管MP0的漏极通过电阻RP与所述输出端相连,晶体管MP1的源极与电源端相连,晶体管MP1的漏极直接所述输出端相连。第二输出单元包括晶体管MN1、晶体管MN0和电阻RN,其中晶体管MN0的源极与接地端相连,晶体管MN0的漏极通过电阻RN与所述输出端相连,晶体管MP1的源极与接地端相连,晶体管MN1的漏极直接所述输出端相连。该输出电路具有内置的静电保护器件,这样不但降低了芯片面积,还降低输出电容值。 |
申请公布号 |
CN104601160A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201410831513.7 |
申请日期 |
2014.12.23 |
申请人 |
灿芯半导体(上海)有限公司 |
发明人 |
彭进忠;孔亮;戴颉;李耿民;职春星 |
分类号 |
H03K19/003(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/003(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
庞聪雅;戴薇 |
主权项 |
一种输出电路,其特征在于,其包括:输出端;连接于电源端和所述输出端之间的第一输出单元,其包括晶体管MP1、晶体管MP0和电阻RP,其中晶体管MP0的源极与电源端相连,晶体管MP0的漏极通过电阻RP与所述输出端相连,晶体管MP1的源极与电源端相连,晶体管MP1的漏极直接所述输出端相连;连接于接地端和所述输出端之间的第二输出单元,其包括晶体管MN1、晶体管MN0和电阻RN,其中晶体管MN0的源极与接地端相连,晶体管MN0的漏极通过电阻RN与所述输出端相连,晶体管MP1的源极与接地端相连,晶体管MN1的漏极直接所述输出端相连。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区金蝶软件园晨晖路88号1幢409室 |