| 摘要 |
읽기 쓰기 동작에서는 사용되지 않는 미사용 워드선에 접속되어 있는 메모리 셀의 플로팅 바디의 전압을 소정 레벨로 하는 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치는 워드선; 비트선; 전원 노드; 비트선과 전원 노드 사이에 PN 결합을 이루는 제1 및 제2 영역과, 제2 영역과 PN 결합을 이루는 제3 영역을 적어도 갖는 복수의 메모리 소자; 리프레쉬 동작에 있어서, 읽기 쓰기 동작에서 액세스하는 사용 워드선 및 읽기 쓰기 동작에서는 액세스를 수행하지 않는 미사용 워드선을 각각 활성화하고, 상기 사용 워드선 및 미사용 워드선 각각의 상기 제2 영역의 전위를 소정 전압으로 하는 제어 회로;를 구비한다. |
