| 摘要 |
<p>다중층 기판 구조물은 기판, 기판 상에 형성되는 열 매칭 층, 상기 열 매칭 층 위의 격자 매칭 층을 포함한다. 열 매칭 층은 몰리브덴, 몰리브덴-구리, 멀라이트, 사파이어, 그래파이트, 알루미늄-산질화물들, 실리콘, 실리콘 탄화물, 아연 산화물들 및 희토류 산화물들 중 적어도 하나를 포함한다. 격자 매칭 층은 합금을 형성하도록 제 1 화학 원소 및 제 2 화학 원소를 포함한다. 제 1 및 제 2 화학 원소는 유사한 결정 구조들 및 화학적 특성들을 갖는다. 열 매칭 층의 열 팽창 계수와 격자 매칭 층의 격자 파라미터 둘 다는 III-V족 화합물 반도체의 일원(member)의 것과 대략 동일하다. 격자 매칭 층의 격자 상수는 III-V족 화합물 반도체의 일원의 것과 대략 동일하다. 격자 매칭 층 및 열 매칭 층은 측방향 제어 셔터를 이용하여 기판 상에 성막될 수 있다.</p> |
