| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
本发明提供一种具有高场效移动率的电晶体。另外，本发明提供一种电特性稳定的电晶体。另外，本发明提供一种关闭状态时(非导通时)的电流小的电晶体。另外，本发明提供一种具有该电晶体的半导体装置。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、隔着第一绝缘膜或第二绝缘膜重叠于氧化物半导体膜的导电膜，其中氧化物半导体膜的组成在第一绝缘膜与第二绝缘膜之间连续地变化。 |
| 申请公布号 |
TW201517275 |
申请公布日期 |
2015.05.01 |
| 申请号 |
TW103130827 |
申请日期 |
2014.09.05 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
