进阶多闸极设备中之高度共形延伸掺杂;HIGHLY CONFORMAL EXTENSION DOPING IN ADVANCED MULTI-GATE DEVICES

摘要

本发明涉及在进阶多闸极设备中的高度共形延伸掺杂。本发明提供形成半导体设备的各种态样的方法，用于形成半导体设备结构的方法、半导体设备和半导体设备结构。在本文的例示实施例中，闸极结构形成在设置在基板表面上的半导体材料的非平面表面部分之上。已掺杂间隔物形成材料形成在该闸极结构和该半导体材料之上且结合在该已掺杂间隔物形成材料中的掺杂剂扩散到靠近该半导体材料表面的半导体材料中以形成源极/汲极延伸区域。所制造的半导体设备可以是多闸极设备，以及，举例而言，包含finFET及/或wireFET。