Ｃｕ配线形成方法及记忆媒体

摘要

提供一种Cu配线形成方法，系可在凹部形成Cu配线时，抑制配线电阻之上升或工序之增加，且充分地确保埋入性，而可得到高电子迁移耐受性之Cu配线。;具有：在具有沟槽之晶圆整面形成阻隔膜的工序；藉由CVD来在阻隔膜上形成Ru膜之工序；藉由PVD来在Ru膜上形成Cu合金膜而将Cu合金膜埋入至沟槽之工序；在Cu合金膜上形成沉积层之工序；藉由CMP来研磨整面而形成Cu配线于沟槽之工序；以及在Cu配线上形成介电质盖层之工序。