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经营范围
发明名称
具有自定时位元线增强电路之记忆体及其方法
摘要
申请公布号
TWI483266
申请公布日期
2015.05.01
申请号
TW098126774
申请日期
2009.08.10
申请人
飞思卡尔半导体公司
发明人
柴尔兹 罗伦斯F;甘德森 克雷格D;陆 欧嘉R;柏奈特 詹姆士D
分类号
G11C7/12;G11C11/417
主分类号
G11C7/12
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
一种记忆体,其包括:一记忆体单元阵列,其耦接至位元线对及字线;行逻辑,其耦接至该阵列,用于将一对选定之位元线耦接至一对资料线;一写入驱动器,其耦接至该对资料线;一电压侦测器,在藉由该写入驱动器写入该对资料线期间,当该对资料线之一第一资料线之一电压下降至低于一第一位准时,该电压侦测器提供一起始增强信号;及一启动电路,其回应于增强启用信号而减少该第一资料线之该电压。
地址
美国
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