水平扩散金氧半导体元件;LATERAL DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

一种水平扩散N型金氧半导体元件，包括半导体基底、磊晶层在半导体基底上、图案化的隔离层在磊晶层上、N型双扩散区于图案化的隔离层的第一主动区中、N型浓掺杂汲极区设置于N-型双扩散区中、P型体掺杂区设置于图案化的隔离层的第二主动区中、一对相邻的N型浓掺杂源极区和P型浓掺杂源极区设置于P型体掺杂区中、第一闸极结构设置于通道区上以及第二闸极结构设置于第二主动区上。第二闸极结构与第一闸极结构相隔预定距离。N型双扩散区的制作方式包括离子布植及磊晶层掺杂。