用于制造半导体封装之方法以及使用其制造的半导体封装;METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME

摘要

本发明揭示一种用于形成小厚度半导体封装的方法并且该方法可以包含：提供一第一晶粒，其具有一主动层、一直通矽穿孔(Through-Silicon Via，TSV)、以及在该主动层上的一介电层之中的一图样与一底层凸块金属(Under Bump Metal，UBM)。一载体可以被黏接至该介电层与该UBM。该第一晶粒可被薄化，用以露出该TSV。一凸块触垫可以被形成在该裸露的TSV上并且一第二晶粒可以被黏接至该凸块触垫。该第一晶粒、该第二晶粒、以及该介电层的一外表面可以运用一第一胶封剂来胶封。该载体可以从该介电层与该UBM处被移除，并且一焊球可以被形成在该UBM上。一沟槽可以被形成贯穿该介电层并且被形成在该第一晶粒之中。