| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI483297 | 申请公布日期 | 2015.05.01 |
| 申请号 | TW101121550 | 申请日期 | 2012.06.15 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 俞建安;张原菘;陈凤鴒;简俊弘 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/8242;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含有：一半导体基底，其上具有复数个深沟渠及位于该复数个深沟之间的复数个柱体结构，其中各该柱体结构包含一上部及一下部；一掺杂区，位于各该柱体结构的该下部，其中该掺杂区系被复数个绝缘沟槽区隔成复数条埋藏数位线；以及一扩散阻障层，位于该下部的一侧壁上。 | ||
| 地址 | 桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号 | ||