| 主权项 |
一种自旋转移力矩随机存取记忆体，其包括：一基底单元，其包括至少一基底层；一源极线单元，其包括多个形成于上述至少一基底层内且彼此分离一预定距离的源极线；一绝缘单元，其包括至少一形成于上述至少一基底层内以使得上述多个源极线彼此绝缘的绝缘层；一电晶体单元，其包括多个分别设置在上述多个源极线上的电晶体，其中每一个电晶体包括一形成于每一个相对应的源极线上的源极区域、一位于该源极区域上方的汲极区域、一位于该源极区域及该汲极区域之间的通道区域、及一同时围绕该源极区域、该汲极区域、及该通道区域的围绕形闸极区域；一磁穿隧接面单元，其包括多个分别设置于上述多个电晶体上的磁穿隧接面元件，其中每一个磁穿隧接面元件接触每一个相对应的电晶体的汲极区域；以及一位元线单元，其包括至少一设置于该磁穿隧接面单元上的位元线，其中每一个磁穿隧接面元件包括一形成于每一个相对应的电晶体上的第一磁性层、一形成于该第一磁性层上的穿隧阻障层、及一形成于该穿隧阻障层上的第二磁性层；其中该第一磁性层具有一位于中央且向下延伸的凹槽，和一顶部，该凹槽向下凹陷至该第一磁性层之底内层表面，该顶部从一外围表面延伸至一包围该凹槽之内表面；该穿隧阻障层延伸至该第一磁性层之凹槽，且具有一位于中央的凹槽，向下延伸至一位于该第一磁性层之底内层表面
上之该穿隧阻障层的底内层表面，该穿隧阻障层更包括一顶部，位于该第一磁性层之顶部上，该穿隧阻障层之顶部从一外围表面延伸至包围该穿隧阻障层之凹槽的该穿隧阻障层之内表面，该穿隧阻障层之外围表面与该第一磁性层之外围表面具有大体上对准之关系；该第二磁性层填满该穿隧阻障层之凹槽，且具有一肩部，位于该穿隧阻障层之顶部上，该第二磁性层之肩部具有一外围表面，与该穿隧阻障层之外围表面有大体上对准之关系。
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