减小曝露于含卤素电浆下之表面腐蚀速率的方法与设备

主权项

一种半导体处理设备，该设备具有至少一个涂覆表面，且该至少一个涂覆表面暴露于一含卤素电浆，其中形成该涂覆表面的一涂层系对于该含卤素电浆具有抗腐蚀性，其中该涂层系由以下起始化合物形成：莫耳浓度范围介于约90mole%~约70mole%的氧化钇，以及莫耳浓度范围介于约10mole%~约30mole%的氧化锆，并且其中该涂层包括一固溶体，藉此该涂覆表面的一平均晶粒尺寸范围介于2μm~8μm，且该涂覆表面的一腐蚀速率低于0.2μm/hr。