局部矽帽盖于沟渠矽化制程期间以改善接触的局部突起磊晶;LOCALLY RAISED EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT BY LOCAL SILICON CAPPING DURING TRENCH SILICIDE PROCESSINGS

摘要

鳍式场效电晶体(finFET)源极/汲极的低电阻接触可藉由形成无缺陷表面并于其上形成此种接触来达成。可将finFET之鳍片曝露于磊晶生长条件下以增加在源极/汲极中之半导体材料之体积。面生长前端可合并或可形成不合并之晶面。介电材料可填充源极汲极区域内之空穴。与finFET闸极间隔开之沟渠可曝露在沟渠内鳍片上晶面化磊晶生长之顶部，此等顶部以平滑介电表面分开。在曝露于沟渠内之顶部上选择性形成之一矽层可经转换形成半导体-金属层，将此种接触与该源极汲极区域中之个别鳍片连接。