半导体装置

摘要

本发明提供抑制基极集极间电容之变动之半导体装置。于双极电晶体中，集极层3系由n型GaAs层3a(Si浓度：约5×10 15 cm -3 ，膜厚：约350nm)、p型GaAs层3b(C浓度：约4.5×10 15 cm -3 ，膜厚：约100nm，片载子浓度：4.5×10 10 cm -2 )及n型GaAs层3c(Si浓度：约5×10 15 cm -3 ，膜厚：约500nm)该三层之半导体层形成。p型GaAs层3b的片载子浓度被设定得低于1×10 11 cm -2 。