发明名称 图案形成方法、电子元件的制造方法以及电子元件;PATTERN FORMING METHOD, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 本发明的图案形成方法顺次包含:(1)形成以照射光化射线或放射线为契机而使极性增大的膜的步骤;(2)对该膜进行第1图案曝光,于进行了第1图案曝光的膜上形成高感光部、中间感光部及低感光部的步骤;(3)使用第1显影液、及第2显影液的其中一种,对进行了第1图案曝光的膜进行显影而形成第1图案的步骤;(4)对第1图案进行与第1图案曝光的光学影像不同的第2图案曝光的步骤;(5)使用第1显影液及第2显影液的另一种,对进行了第2图案曝光的膜进行显影,形成第2图案的步骤。; (2) a step of forming a high-photosensitive part, a medium-photosensitive part, and a low-photosensitive part on an exposed first pattern film by performing a first pattern exposure on the film; (3) a step of using one of the a first developer and a second developer to develop the film on which the first-pattern exposure is performed, so as to form a first pattern; (4) a step of performing a second-pattern exposure on the first pattern, wherein optical images of the first-pattern exposure and the second-pattern exposure are different; (5) a step of using the unused developer of the first and second developers to develop the film on which the second-pattern exposure is performed, so as to form a second pattern.
申请公布号 TW201516583 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW103136217 申请日期 2014.10.21
申请人 富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 发明人 上羽亮介 UEBA, RYOSUKE;榎本雄一郎 ENOMOTO, YUICHIRO;吉留正洋 YOSHIDOME, MASAHIRO;白川三千紘 SHIRAKAWA, MICHIHIRO;古谷创 FURUTANI, HAJIME
分类号 G03F7/20(2006.01);G03F1/20(2012.01);G03F1/22(2012.01);G03F7/26(2006.01);G03F7/30(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 日本 JP