有未掺杂的汲极欠叠环绕区域的穿隧场效电晶体（ＴＦＥＴ）;TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTORS (TFETs) WITH UNDOPED DRAIN UNDERLAP WRAP-AROUND REGIONS

摘要

叙述有未掺杂汲极欠叠环绕区域的穿隧场效电晶体(TFET)。例如，穿隧场效电晶体(TFET)包含同质接面主动区域形成在基板上。同质接面主动区域包含：掺杂源极区域、未掺杂通道区域、环绕区域及掺杂汲极区域。闸极电极及闸极介电层形成在未掺杂通道区域上，且在源极及环绕区域之间。