发明名称 半导体储存装置
摘要
申请公布号 TWI483109 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW100146947 申请日期 2011.12.16
申请人 东芝股份有限公司 发明人 桧田敏克;矢尾浩;矢野浩邦
分类号 G06F12/02;G06F12/00 主分类号 G06F12/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体储存装置,其包含:包括于能够随机存取之一第一半导体记忆体中的一第一储存区;包括于一非挥发性第二半导体记忆体中的一第二储存区,其中读取及写入系按一分页单元执行且擦除系按大于该分页单元之一区块单元执行;及按该区块单元将该第二半导体记忆体之一储存区分配给该第二储存区的一控制器,其中该控制器经组态以:将用于按一第一管理单元来管理该第二储存区中之资料的一第一管理表记录至该第二半导体记忆体中;将用于按大于该第一管理单元之一第二管理单元来管理该第二储存区中之资料的一第二管理表记录至该第一半导体记忆体中;执行将写入该第一储存区中的一区段单元中的复数个资料排清至该第二储存区以作为该第一管理单元中之资料及该第二管理单元中之资料之任一者的一资料排清处理,且更新该第一管理表及该第二管理表中之至少一者;且当该第二储存区之一资源使用率超过一临限值时,执行自该第二储存区收集有效资料且将有效资料重新写入至该第二储存区中之另一区块中的一资料组织处理,且更新该第一管理表及该第二管理表中之至少一 者;其中在该资料组织处理中,当在经写入该第二储存区中以作为该第二管理单元中之资料之后经写入该第一储存区及该第二储存区中的资料的在该第二管理单元中之位址之数目超过一预定临限值时,该控制器自一选定组织目标区块收集有效资料,且将有效资料重新写入至另一区块中以作为该第二管理单元中之资料。
地址 日本