发明名称 阶层式动态随机存取记忆体(DRAM)感测
摘要
申请公布号 TWI483250 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW100142024 申请日期 2011.11.17
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 索美斯卡 丹许;潘迪亚 刚杰;张凯文;汉洛路 费堤;史瑞尼文森 贝拉吉;高司 史瓦洛普;麦沙特 米特李欧斯
分类号 G11C11/4091 主分类号 G11C11/4091
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种具有阶层式感测的动态随机存取记忆体(DRAM),该DRAM包含:一对总体位元线(GBL),延伸于复数个子阵列之间,该等GBL终止于总体感测放大器中;在各子阵列中的子阵列感测放大器(SSA)之丛集,各SSA具有耦合至记忆体胞元的一对局部位元线,其中该等记忆体胞元是由延伸至该丛集中之所有该记忆体胞元的字元线所选择;以及与各对局部位元线关联的局部预充电电路,其中,该等局部位元线被预充电至约为该等GBL被预充电之电位的一半之电位,且其中,各丛集被控制而使得在整个该丛集中选择单一字元线,且该丛集中的各SSA是在读取周期期间被启用,且其中仅一对来自该丛集的局部位元线被耦合至该等GBL。
地址 美国