半导体发光元件及其制造方法

摘要

利用抑制反射电极表面之空隙的发生，实现更提升光取出效率的半导体发光元件及其制造方法。具有n型或p型的第1半导体层、导电型与前述第1半导体层不同的第2半导体层、及形成在前述第1半导体层及前述第2半导体层之间的发光层之半导体发光元件的制造方法，具有：准备基板的工程(a)；于基板上，由下依序形成第1半导体层、前述发光层及前述第2半导体层的工程(b)；于第2半导体层的上层，蒸镀构成反射电极之第1导电层的工程(c)；在工程(c)之后，不进行退火工程，于第1导电层的上面整面，蒸镀构成保护层之第2导电层的工程(d)；及在工程(d)之后，在第1导电层与第2半导体层之间以形成欧姆连接的温度进行退火的工程(e)。