制造半导体元件的方法

主权项

一种制造半导体元件之方法，该方法包含：于具有底层结构之半导体基板上方形成蚀刻目标层；于该蚀刻目标层上方形成第一遮罩图案，该第一遮罩图案包括第一部分及第二部分；于该蚀刻目标层及该第一遮罩图案上方形成大体上具有均匀厚度之间隔物材料层，该间隔物材料层界定该第一遮罩图案之该第一部分与该第二部分之间的缺口区域(indented region)；形成一第二遮罩图案于以该间隔物材料层所界定之该缺口区域中；以及使用该第一遮罩图案及该第二遮罩图案作为蚀刻遮罩，蚀刻该蚀刻目标层，以形成具有期望图案之蚀刻目标层。