发明名称 使用电镀之导电通孔之形成
摘要
申请公布号 TWI483312 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW097105225 申请日期 2008.02.14
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 泰瑞G 史巴克;罗伯E 琼斯
分类号 H01L21/3205;H01L21/60 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种形成一导电通孔之方法,该方法包括:在一半导体基板之一第一侧上形成一导电层,其中该半导体基板包括一第一侧和一第二侧,该第一侧与该第二侧相对;使该导电层图案化以形成一平台垫;从该半导体基板之该第二侧,于该半导体基板中形成一通孔孔洞,其中该通孔孔洞曝露出该平台垫;以及使用该平台垫作为一种子层在该通孔孔洞上电镀一导电通孔材料;在该半导体基板之该第一侧上形成一连续导电层,其中该平台垫与该连续导电层电耦合,且该连续导电层系作为电镀该导电通孔材料之一电流源,电镀该导电通孔材料后,将该连续导电层图案化,其中将连续导电层图案化包括将该连续导电层进行化学机械抛光。
地址 美国