源极侧非对称预充电程式化设计

主权项

一种用于程式化一NAND快闪记忆体串列的方法，该NAND快闪记忆体串列具有在一位元线与一源极线之间串联连接的一源极线选择装置、记忆体胞及一串列选择装置，该方法包含：将该位元线偏压至第一供应电压位准及第二供应电压位准之一；从该源极线将对应于该些记忆体胞之通道群组非对称预充电至不同的电压位准，用于设定一已选择记忆体胞通道至程式化禁止状态，其与储存于未被选择之记忆体胞中的背景资料无关；以及仅当该位元线被偏压至该第二供应电压位准时，程式化该已选择记忆体胞，当该位元线被偏压至该第一供应电压位准时，该已选择记忆体胞保持在该程式化禁止状态。