含有具有制程容限组构之基板二极体之ＳＯＩ装置以及形成该ＳＯＩ装置之方法

主权项

一种形成积体电路之方法，包括下列步骤：在绝缘层上覆矽(SOI)基材的第一装置区中形成第一开孔及第二开孔，并覆盖第二装置区，该第一及第二开孔延伸通过埋入绝缘层到结晶基材材料，该第二装置区具有在其中形成之第一电晶体及第二电晶体，每一电晶体包括延伸区；以共同的第一汲极/源极植入制程形成该第一电晶体中之汲极及源极区、以及该结晶基材材料中被该第一开孔露出之第一掺杂区；以共同的第二汲极/源极植入制程形成该第二电晶体中之汲极及源极区、以及该结晶基材材料中被该第二开孔露出之第二掺杂区；以及在该第一及第二电晶体以及该第一及第二掺杂区中形成金属矽化物。