发明名称 发光二极体晶粒及使用该晶粒之发光二极体封装结构
摘要
申请公布号 TWI483426 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW101113855 申请日期 2012.04.18
申请人 荣创能源科技股份有限公司 发明人 沈佳辉;洪梓健
分类号 H01L33/36 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体晶粒,包括基板和磊晶层,该磊晶层包括依次设置在基板上之第一半导体层、有源层和第二半导体层,其中:该发光二极体晶粒还包括电极及容置部,该电极包括第一电极、第二电极及共用电极,该第一电极和第二电极与第二半导体层电连接,该容置部形成于该磊晶层出光面之中间位置并贯通该第二半导体层和有源层,该共用电极设置在该容置部内并位于该第一半导体层上,该发光二极体晶粒还包括一通槽,该通槽将磊晶层分隔成两个独立之发光部分。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号