| 主权项 |
一种半导体记忆体装置，包含：第一记忆体单元，其包括第一电晶体、第二电晶体、和电容器；第二记忆体单元，其包括第三电晶体；第一线；第二线；第三线；第四线；以及第五线，其中，该第一电晶体的闸极电连接到该第一线，其中，该第一电晶体之源极和汲极的其中之一电连接到该第二电晶体的闸极和该电容器的第一电极，其中，该电容器的第二电极和该第三电晶体的闸极电连接到该第二线；其中，该第一电晶体之该源极和该汲极的其中另一个电连接到该第三线，其中，该第二电晶体之源极和汲极的其中之一电连接到该第四线，并且其中，该第二电晶体之该源极和该汲极的其中另一个电连接到该第五线。
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