发明名称 |
接触窗结构与形成方法;CONTACT STRUCTURE AND FORMING METHOD |
摘要 |
一种阶梯式接触窗结构的形成方法,包括:形成一由复数个主动层与复数个绝缘层交替的堆叠,此堆叠包括一第一子堆叠与一第二子堆叠,各子堆叠的主动层被该些绝缘层分开。各子堆叠的主动层包括一上边界主动层。一子堆叠绝缘层形成于第一子堆叠层与第二子堆叠层之间。在一已知蚀刻步骤中,子堆叠绝缘层具有一不同于绝缘层的蚀刻时间的蚀刻时间。接通该些上边界主动层;接续上述接通步骤,接通其余该些主动层,并于该些主动层上产生一阶梯式结构的着陆区。形成延伸至该些着陆区的层间导体,该些层间导体由绝缘材料各自分开。 |
申请公布号 |
TW201517248 |
申请公布日期 |
2015.05.01 |
申请号 |
TW102138369 |
申请日期 |
2013.10.24 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
陈士弘 CHEN, SHIH HUNG |
分类号 |
H01L27/105(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
主权项 |
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地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |