发明名称 接触窗结构与形成方法;CONTACT STRUCTURE AND FORMING METHOD
摘要 一种阶梯式接触窗结构的形成方法,包括:形成一由复数个主动层与复数个绝缘层交替的堆叠,此堆叠包括一第一子堆叠与一第二子堆叠,各子堆叠的主动层被该些绝缘层分开。各子堆叠的主动层包括一上边界主动层。一子堆叠绝缘层形成于第一子堆叠层与第二子堆叠层之间。在一已知蚀刻步骤中,子堆叠绝缘层具有一不同于绝缘层的蚀刻时间的蚀刻时间。接通该些上边界主动层;接续上述接通步骤,接通其余该些主动层,并于该些主动层上产生一阶梯式结构的着陆区。形成延伸至该些着陆区的层间导体,该些层间导体由绝缘材料各自分开。
申请公布号 TW201517248 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW102138369 申请日期 2013.10.24
申请人 旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 发明人 陈士弘 CHEN, SHIH HUNG
分类号 H01L27/105(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L27/105(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉林素华
主权项
地址 新竹县科学工业园区力行路16号 TW