| 主权项 |
一种晶载记忆体单元，包含：三闸极存取电晶体；以及三闸极电容器，其中，该三闸极存取电晶体的闸极电极为第一闸极电极，该第一闸极电极设置在闸极介电质层上而跨立半导体鳍片，该闸极介电质层设置在该半导体鳍片的至少一部分上，该半导体鳍片设置在基底上；其中，该半导体鳍片中，在该第一闸极电极的第一侧设置有第一汲极区域；第二闸极电极设置在该闸极介电质层上而跨立该半导体鳍片；在该第一闸极电极与该第二闸极电极之间，在该第二闸极电极的第一侧设置有源极区域；在该第二闸极电极的第二侧设置有第二汲极区域；其中，该三闸极电容器形成于该第二闸极电极跨立该半导体鳍片的位置；其中，该基底为块矽基底；其中，在该半导体鳍片设置有该第一闸极电极的部分，在该半导体鳍片之高度方向具有第一长度；在该半导体鳍片设置有该第二闸极电极的部分，在该半导体鳍片之高度方向具有第二长度；其中，该第二长度大于该第一长度；以及其中，该三闸极电容器为倒置模式三闸极电容器及累积模式三闸极电容器之一，而且该倒置模式三闸极电容器具有一单位面积上至少约23fF的倒置电荷电容，以及小
于约1nA的闸极漏电流。
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