半导体发光装置;SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

摘要

根据实施形态的话，半导体发光装置，具备半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧配线部、n侧配线部、树脂层、与萤光体层。半导体层，具有具第1面、及与第1面相反侧的第2面之发光层。p侧电极及n侧电极，于第2面侧设于半导体层。p侧配线部，设于第2面侧，被连接于p侧电极。n侧配线部，设于第2面侧，被连接于n侧电极。树脂层，被设于p侧配线部与n侧配线部之间。萤光体层，设于第1面侧，具有在与第1面之间形成钝角的侧面。