半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明的目的之一是提供一种适合于微型化的半导体装置。半导体装置包括：第一电晶体；第一电晶体上的第二电晶体；位于第一电晶体与第二电晶体之间的阻挡层；位于第一电晶体与阻挡层之间的第一电极；以及位于阻挡层与第二电晶体之间且夹着阻挡层重叠于第一电极的第二电极。另外，第一电晶体的闸极电极、第一电极及第二电晶体的源极电极和汲极电极中的一个彼此电连接，在第一电晶体中，在包含单晶半导体的第一半导体层中形成通道，在第二电晶体中，在包含氧化物半导体的第二半导体层中形成通道。