发明名称 横向修整硬遮罩的方法;METHOD FOR LATERALLY TRIMMING A HARDMASK
摘要 本文之技术包括了在聚合氟碳电浆中可控制性横向蚀刻介电层的方法。此方法可包括使用遮罩修整步骤作为一部分矽蚀刻制程的介电层堆叠蚀刻。使用氟碳混合物进行介电层遮罩修整提供了数个优点,例如:其应用上直接简单、并且为制程流程提供了额外的灵活性。因此,本文之技术提供了一种矫正或调整硬遮罩上之CD的方法。一般而言,此技术可包括使用氟基及氟碳基(或氟烃基)化学品来产生电浆、以及控制此二化学品的比例。在没有于此所揭露之硬遮罩修整方法的情况下,若硬遮罩CD未达目标,则晶圆便要报废。在具有如于此所揭露之矽蚀刻中的硬遮罩修整功能的情况下,则能重新达到规定CD之目标以排除晶圆报废。
申请公布号 TW201517168 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW103129412 申请日期 2014.08.26
申请人 东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 兰杰 艾洛克 RANJAN, ALOK;沃罗宁 谢尔盖A VORONIN, SERGEY A.
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋周良吉
主权项
地址 日本 JP