发明名称 记忆体之积体电路及其操作方法;INTEGRATED CIRCUIT FOR MEMORY AND OPERATING METHOD THEREOF
摘要 一种记忆体之积体电路,包括第一资料驱动电路以及传输电晶体。第一资料驱动电路耦接第一节点。第一节点之电压位准包括第一位准以及第二位准。传输电晶体耦接于第一节点与第二节点之间。第二节点之电压位准为第三位准或第四位准。当传输电晶体接收偏压位准且第一节点之电压位准为第一位准时,传输电晶体使第二节点之电压位准被设定为第三位准,第三位准系接近或实质上等于第一位准。当传输电晶体接收偏压位准且第一节点之电压位准为第二位准时,第二节点之电压位准系独立于第一节点之电压位准。
申请公布号 TW201517041 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW102139005 申请日期 2013.10.29
申请人 旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 发明人 陈重光 CHEN, CHUNG KUANG
分类号 G11C16/10(2006.01) 主分类号 G11C16/10(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉林素华
主权项
地址 新竹县科学工业园区力行路16号 TW