发明名称 |
记忆体之积体电路及其操作方法;INTEGRATED CIRCUIT FOR MEMORY AND OPERATING METHOD THEREOF |
摘要 |
一种记忆体之积体电路,包括第一资料驱动电路以及传输电晶体。第一资料驱动电路耦接第一节点。第一节点之电压位准包括第一位准以及第二位准。传输电晶体耦接于第一节点与第二节点之间。第二节点之电压位准为第三位准或第四位准。当传输电晶体接收偏压位准且第一节点之电压位准为第一位准时,传输电晶体使第二节点之电压位准被设定为第三位准,第三位准系接近或实质上等于第一位准。当传输电晶体接收偏压位准且第一节点之电压位准为第二位准时,第二节点之电压位准系独立于第一节点之电压位准。 |
申请公布号 |
TW201517041 |
申请公布日期 |
2015.05.01 |
申请号 |
TW102139005 |
申请日期 |
2013.10.29 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
陈重光 CHEN, CHUNG KUANG |
分类号 |
G11C16/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
主权项 |
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地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |