| 发明名称 | 光电元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI483414 | 申请公布日期 | 2015.05.01 |
| 申请号 | TW098145797 | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 苏宗一;王铭义;蓝邦强;廖德淦;苏昭安;黄建欣;吴惠敏;谭宗涵;陈敏;林梦嘉 |
| 分类号 | H01L31/12;G02B6/42;H01L31/18 | 主分类号 | H01L31/12 |
| 代理机构 | 代理人 | 郭晓文 台北市文山区罗斯福路6段407号4楼 | |
| 主权项 | 一种光电元件，包括：一基底，该基底的材料包括整体矽基底，具有一第一区；一半船型材料层，该半船型材料层的材料包括SiOx，配置于该第一区之该基底中，其中该半船型材料层的折射率小于该基底的折射率，且该半船型材料层的顶面与该基底的表面齐平；一深沟渠隔离结构，配置于该第一区之该基底中，且位于该半船型材料层之头部的一侧；以及一光波导，配置于该第一区之该基底上，与部份该深沟渠隔离结构及至少部份该半船型材料层重叠。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||