| 摘要 |
<p>本発明は、帯状基板に対するマグネトロンスパッタリングにおいて、ターゲット利用率を向上可能なスパッタリング装置を提供する。本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、アースされた金属の帯状基板をチャンバ内で連続的に搬送し、帯状基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置である。該スパッタリング装置は、チャンバ内の帯状基板に対向して設けられ、ターゲットを保持するためのターゲットホルダーと、ターゲットホルダーに電力を供給することで、チャンバ内にプラズマを発生させる電圧印加手段と、ターゲットホルダーの裏面側に配置され長尺状の第１の磁石と該第１の磁石を囲むように配置された第２の磁石とを有する磁石ユニットと、チャンバの、磁石ユニットから帯状基板に向かう方向に存在する壁面と帯状基板との間に設けられ、プラズマから壁面を遮蔽する、フローティング電位の第１シールドと、を備える。</p> |
