| 摘要 |
真空処理室内で基板を加熱処理する基板熱処理装置は、基板を載置可能な第１の基板載置部と開口部とが設けられたＣ字型のサセプタと、基板を載置可能な第２の基板載置部とサセプタを支持するサセプタ支持部とが設けられた基板ステージと、サセプタ支持部とは別体に形成されるとともにサセプタ支持部に係合されサセプタ支持部にサセプタが支持された状態でサセプタが環状となるようにサセプタの開口部を補完する補完部と、を備える。第２の基板載置部に基板が載置され、第２の基板載置部が放熱面に対して所定の離間位置に位置する際に、サセプタは補完部とで環状を形成し、基板を包囲している。 |
