| 摘要 |
<p>磁気記録媒体製造のために用いることのできる保護膜の製造方法であって、（ａ）前記基板上に形成された磁性層を提供する工程と、（ｂ）前記磁性層上に、特定低級飽和炭化水素ガス及び特定低級不飽和炭化水素ガスを含む混合ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法により、前記保護膜を形成する工程と、を含み、前記工程（ｂ）が、前記磁性層上に第一保護膜を形成する工程（ｂ−1）と、該第一保護膜上に第二保護膜を形成する工程（ｂ−２）とを含み、前記工程（ｂ−１）が、前記原料ガス中の１炭素原子当たりの平均水素原子数が２．５超３未満となるようにガス混合比が調節された原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により行なわれ、前記工程（ｂ−２）が、前記原料ガス中の１炭素原子当たりの平均水素原子数が２超２．５未満となるようにガス混合比が調節された原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により行なわれる、ことを特徴とする前記保護膜の製造方法。</p> |
