| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden von dünnen Schichten auf Substraten, insbesondere auf Siliziumsubstraten, bestehend aus folgenden Komponenten: einem Gasmisch-/Gasversorgungssystem (5); mindestens einer Reaktionskammer (1') eines CVD-Reaktors (1, 2), die über Gaszuleitungen (25) mit dem Gasversorgungssystem (5) verbunden ist; einem Gasentsorgungssystem, aufweisend eine von eine Steuereinrichtung (17) ansteuerbare Druckkontrolleinrichtung (13) und einer von der Steuereinrichtung (17) steuerbaren Abgasreinigungseinrichtung (7); zumindest einer Heizeinrichtung (16) zum Aufheizen eines in der Reaktionskammer (1') angeordneten Suszeptors (15); eine von der Steuereinrichtung (17) steuerbare Kühleinrichtung (8, 27) zum Kühlen der mindestens einen Reaktionskammer (1'); einem Anlagengehäuse (16), welches eine von der Steuereinrichtung (17) steuerbare Ablufteinrichtung (12) aufweist; einer von der Steuereinrichtung (17) steuerbare Messeinrichtung (18). Zur Reduzierung der Fertigungskosten zur Abscheidung von Schichten, insbesondere III-V-Schichten auf Substraten, insbesondere Siliziumsubstraten, wird vorgeschlagen, dass die zentrale Steuereinrichtung (17) eingerichtet ist, die Komponenten derart zu steuern, dass der Energie- und Materialverbrauch jeder der Komponenten abhängig vom jeweiligen oder einem prognostizierten Prozesszustand der Vorrichtung oder einer mit der Vorrichtung im Verbund betriebenen anderen Vorrichtung minimiert wird.</p> |
