| 发明名称 |
Schaltkreis |
| 摘要 |
<p>In einer Ausführungsform umfasst ein Schaltkreis Eingangsdrain-, -source- und -gateknoten, einen Hochvolttransistor des Verarmungstyps, der einen Strompfad umfasst, der in Reihe mit einem Strompfad eines Niedervolttransistors des Anreicherungstyps gekoppelt ist, und eine Stromabtastschaltung zum Abtasten des durch einen Stromabtastpfad fließenden Stroms.</p> |
| 申请公布号 |
DE102014115114(A1) |
申请公布日期 |
2015.04.30 |
| 申请号 |
DE201410115114 |
申请日期 |
2014.10.17 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
OTREMBA, RALF;SCHIESS, KLAUS;SANDER, RAINALD |
| 分类号 |
H01L23/62;H01L25/18;H01L29/778;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L23/62 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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