配線構造体、配線構造体を備えた半導体装置及びその半導体装置の製造方法

摘要

ダマシン構造のＣｕ配線を有する配線構造体、その配線構造体を有する半導体装置において熱処理工程を経る場合、又は長期使用の過程での熱履歴を受ける場合でも、リーク電流の増加を確実に抑制することが可能な配線構造体及びその配線構造体を有する半導体装置並びにそれらの製造方法を提供する。組成成分として珪素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の少なくとも何れか一方を含む膜上に銅配線を直接して設けることで、上記の課題が解決される。