| 发明名称 |
組成物を使用したＣＭＰ後除去及び使用方法 |
| 摘要 |
<p>【課題】 自身上に化学機械研磨（ＣＭＰ）後の残渣及び汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから前記残渣及び汚染物質を洗浄するアミン不含組成物及びプロセスを提供する。【解決手段】 アミン不含組成物は少なくとも１つの酸化剤、少なくとも１つの錯化剤、少なくとも１つの塩基性化合物、及び水を含み、約２．５〜約１１．５の範囲のｐＨを有することが好ましい。組成物は、低ｋ誘電体材料又は銅相互接続材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からＣＭＰ後の残渣及び汚染物質材料を非常に効率的に洗浄することを達成する。【選択図】 なし</p> |
| 申请公布号 |
JP2015512971(A) |
申请公布日期 |
2015.04.30 |
| 申请号 |
JP20140557813 |
申请日期 |
2013.02.15 |
| 申请人 |
インテグリス，インコーポレイテッド |
发明人 |
リウ，ジュン;バーンズ，ジェフリー エー．;クーパー，エマニュエル アイ．;サン，ライシェン;トーマス，エリザベス;チャン，ジェイソン |
| 分类号 |
C11D3/04;C11D1/12;C11D1/68;C11D1/72;C11D1/722;C11D3/20;C11D3/28;C11D3/30;C11D3/33;C11D3/34;C11D3/36;C11D3/37;C11D3/39;C11D7/06;C11D7/18;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/34;C11D7/36;C11D7/38;H01L21/304 |
主分类号 |
C11D3/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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