一种提纯固态半导体多晶材料的设备及方法

摘要

本发明公开了一种提纯固态半导体多晶材料的设备，它包括炉体和双层坩埚，炉体内部水平设置有炉管，炉体与炉管间设一层嵌入有加热元件的炉管加热层，炉管分为炉管梯度温区和炉管高温区，双层坩埚由外层石英坩埚和内层坩埚组成，内层坩埚呈舟形并分为坩埚主体区和坩埚尾部淘汰区；利用该设备提纯固态半导体多晶材料的方法为将多晶材料装入双层坩埚，进行抽真空、熔封，然后放入炉体中按照特定的温场曲线进行升温，使原料充分熔化，再将炉体进行缓慢降温，使原料重结晶，最后去除坩埚尾部淘汰区的杂质；与现有技术相比，本发明中提纯固态半导体多晶材料的设备及方法不仅投入成本低、操作简单，而且可以将固态半导体多晶材料的纯度提升1-3个数量级。

主权项

一种提纯固态半导体多晶材料的设备，其特征在于它包括炉体(1)和双层坩埚，所述炉体(1)内部水平设置有炉管(2)，所述炉管(2)与炉体(1)之间设有炉管加热层，所述炉管加热层使炉管分为炉管梯度温区和炉管高温区，所述双层坩埚由外层石英坩埚(3)和内层坩埚(4)组成，所述内层坩埚(4)呈舟形并且分为坩埚主体区(5)和坩埚尾部淘汰区(6)，所述双层坩埚位于炉管(2)内，所述坩埚尾部淘汰区(6)位于炉管梯度温区，所述坩埚主体区(5)位于炉管高温区。