| 发明名称 | 近中红外波双色探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种近中红外波双色探测器及其制备方法。该探测器包括：探测波长为0.7-1.6微米的近红外响应单元、探测波段为3-5微米的中红外响应单元以及用以与所述近红外响应单元和中红外响应单元配合的电极等；其典型的制备方法包括：在衬底正面上依次生长缓冲层、近红外响应单元、共用接触层、中红外响应单元和顶电极接触层形成外延层；以及，在共用接触层和顶电极接触层上制作顶电极和共用电极，在衬底背面制作底电极等。本发明的探测器在红外光谱照射下能够观察到明显的响应电流，可独立或同时进行近、中红外波段的探测，且器件结构简单，体积小，成本低廉，具有广泛应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104576811A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201510039927.0 | 申请日期 | 2015.01.27 |
| 申请人 | 苏州苏纳光电有限公司 | 发明人 | 吴渊渊;陆书龙;代盼;谭明;季莲;其他发明人请求不公开姓名 |
| 分类号 | H01L31/11(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人 | 王锋 |
| 主权项 | 一种近中红外波双色探测器，其特征在于包括：探测波长为0.7‑1.6微米的近红外响应单元，包括以In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As作为吸收层的PIN结构；探测波段为3‑5微米的中红外响应单元，包括In<sub>x</sub>Al<sub>1‑x</sub>As/In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>As量子阱结构，0.53≤y＜1,1＜x≤0.52；以及，电极，用以与所述近红外响应单元和中红外响应单元配合。 | ||
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元 | ||